- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11514 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H01L 27/11514
Brevets de cette classe: 219
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
92 |
| Intel Corporation | 45621 |
21 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
18 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
13 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
13 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
11 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
6 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
5 |
| Wuxi Smart Memories Technologies Co., Ltd. | 14 |
5 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
4 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
4 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
2 |
| Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 28538 |
2 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
2 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
2 |
| Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd | 53 |
2 |
| Sony Corporation | 32931 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
1 |
| Autres propriétaires | 9 |